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AMETEK PTC-660係列 幹體爐
在冶金、電子製造、高端科研等領域,高溫環境下的溫度傳感器校準是保障生產質量與實驗數據可靠的關鍵環節。AMETEK PTC-660係列幹體爐作為聚焦33~660C
AMETEK PTC-660係列 幹體爐的詳細資料
在冶金、電子製造、高端科研等領域,高溫環境下的溫度傳感器校準是保障生產質量與實驗數據可靠的關鍵環節。AMETEK PTC-660係列幹體爐作為聚焦33~660°C高溫區間的專業校準設備,依托專利雙區加熱技術、高溫適配結構設計與精準測量係統,成為高溫溫度校準的核心解決方案。該係列包含A、B、C三款功能梯度型號,共享高溫核心技術,卻在測量能力、自動化水平與合規適配性上形成差異化布局,既能滿足基礎高溫基準需求,又能適配複雜合規化校準場景。本文將結合權威技術參數,從儀器概述、核心技術、詳細參數、測試原理、應用場景與維護要點六個維度,全麵解析AMETEK PTC-660係列幹體爐的技術優勢與實用價值。
AMETEK PTC-660係列幹體爐是AMETEK SENSORS,TEST&CALIBRATION針對高溫校準場景打造的旗艦級產品,溫度覆蓋33~660°C(91~1220°F),專為需在高溫環境下實現精準溫度基準的用戶設計。係列三款型號延續了PTC家族“模塊化梯度設計”理念,核心差異集中在測量輸入接口、自動化功能與數據管理能力,以適配不同用戶的需求層次與預算範圍。
AMETEK PTC-660A作為基礎型號,定位“高溫基礎校準”,僅保留核心溫度場提供功能,依賴內部參考傳感器完成控溫,無外部參考傳感器輸入與被測傳感器測量接口,結構簡潔、維護成本低,適合對校準精度要求適中(內部參考精度±0.3~0.5°C)、僅需高溫基準的場景,如小型冶金車間的簡易傳感器校準。
AMETEK PTC-660C作為中端均衡型號,新增外部參考傳感器輸入功能,支持JOFRA STS-150-A高溫適配型智能參考傳感器接入,通過4線製真歐姆測量技術消除引線電阻誤差,外部校準精度達±0.15°C(12個月周期),同時內置IRI智能校準提醒功能與10組儀器設置存儲,兼顧精準度與基礎合規需求,適合中型製造企業與科研實驗室的高溫精密校準。
AMETEK PTC-660B作為全功能型號,具備最完整的高溫校準能力,除包含C型號的核心功能外,新增被測傳感器(SUT)輸入接口,支持RTD、熱電偶、高溫變送器等多種類型傳感器的直接測量,內置20步自動步進校準、開關測試、AsFound/AsLeft校準模式,數據可存儲並導出為PDF/ASCII格式,還可通過U1功能包擴展工作訂單與更多高溫傳感器類型支持,完全滿足製藥、高端電子等行業的嚴格合規要求。
係列三款型號均采用輕量化設計,重量僅8.9kg,尺寸為362×171×363mm,搭配專用一體化攜帶箱,兼顧實驗室固定使用與工業現場移動校準需求。其核心共性在於高溫環境下的穩定性能——通過黃銅插入件、優化散熱結構與耐高溫材料選型,確保在660°C極限溫度下仍能維持可靠的溫度均勻性與穩定性,突破傳統幹體爐高溫下精度漂移的技術瓶頸。
(一)專利雙區加熱技術:高溫下的均勻與穩定保障
AMETEK PTC-660係列搭載EP2074374/US8342742專利雙區加熱技術,針對高溫場景進行專項優化,通過下部主區與上部補償區的獨立控溫協同,解決高溫下熱量散失快、溫度均勻性差的痛點。下部主區加熱塊采用高導熱合金材料,加熱元件按環形梯度布局,確保熱量快速傳導並均勻分布,徑向孔間溫差控製在0.1°C以內(660°C高溫下),為參考傳感器與被測傳感器提供一致的高溫基準;上部補償區通過高精度溫度傳感器實時監測爐口散熱與傳感器插入後的熱量流失,動態調整加熱功率,無需額外絕緣裝置即可維持校準區域溫度穩定,波動範圍±0.04°C(穩定指示燈亮起10分鍾後,測試時長30分鍾)。
(二)高溫適配結構與材料設計
為應對660°C高溫環境,AMETEK PTC-660係列在結構與材料上進行針對性升級。插入件采用黃銅材質(相較於中低溫型號的鋁合金),黃銅具備更優異的高溫穩定性與熱傳導一致性,避免高溫下變形或導熱效率下降,插入件直徑24.8mm、長度160mm,與25mm直徑的加熱井精準匹配,減少熱量散失;加熱塊內部預留高溫散熱通道,搭配外殼定向出風口,形成“主動散熱+被動散熱”複合機製,既保證高溫下的溫度穩定,又避免設備內部電路因過熱損壞。此外,係列標配熱屏蔽裝置(PTC-660專屬),進一步減少高溫輻射對操作環境與設備外殼的影響,提升使用安全性。
(三)智能參考傳感與精準測量係統
AMETEK PTC-660係列(B/C型號)搭配的JOFRASTS-150-A參考傳感器專為高溫場景優化,溫度範圍覆蓋0~660°C,傳感元件采用高溫穩定型Pt100,在660°C高溫下暴露100小時後仍能維持良好穩定性,滯後@0°C僅±0.01°C,長期穩定性@0°C典型值±0.014°C,重複性±0.004°C。傳感器內置智能數據芯片,接入設備後自動讀取校準參數,無需人工輸入,實現“即插即用”,消除係數錄入錯誤風險;4線製真歐姆測量技術的應用,有效隔離引線電阻與高溫環境下的接觸電阻幹擾,確保參考溫度測量的精準性。
對於PTC-660B型號,被測傳感器測量電路同樣具備高溫適配能力,RTD輸入量程達4000Ω,12個月測量精度±(0.006%Rdg.+0.005%F.S.),支持Pt100、Pt500等高溫RTD類型;熱電偶輸入量程±78mV,支持R、S、B等高溫熱電偶類型,內置高精度冷端補償電路與高溫信號濾波算法,確保在高溫環境下捕捉微弱且穩定的傳感信號。
(四)MVI電網波動免疫與合規化設計
工業現場高溫環境常伴隨電機、加熱設備頻繁啟停,導致電網電壓波動,AMETEK PTC-660係列內置MVI電網波動免疫技術,通過內置穩壓模塊將交流輸入轉換為穩定直流電壓,隔離電壓波動與諧波幹擾,即使在供電不穩定的場景中,仍能維持穩定的控溫精度,無需額外配備穩壓電源。
合規化方麵,B/C型號內置IRI智能校準提醒功能,開機自動檢查設備及參考傳感器的校準證書有效期,超期則在顯示屏發出警告,契合ISO、FDA、SOPs等行業標準;PTC-660B支持校準數據存儲(20組自動步進校準結果+20組開關測試結果)與標準化導出,結合JofraCal軟件可生成符合ISO17025標準的校準證書,數據帶精準時間戳,滿足高溫校準場景的可追溯性要求。
| 對比維度 | AMETEK PTC-660A | AMETEK PTC-660C | AMETEK PTC-660B |
| 溫度範圍 | 33~660°C(91~1220°F) | 33~660°C(91~1220°F) | 33~660°C(91~1220°F) |
| 核心精度(12個月) | 內部參考:33~420°C±0.3°C;420~660°C±0.5°C | 外部參考(STS-150-A):±0.15°C;內部參考同A型號 | 外部參考:±0.15°C;被測輸入(RTD):±(0.006%Rdg.+0.005%F.S.) |
| 溫度穩定性 | ±0.04°C(穩定後10分鍾,30分鍾測試) | ±0.04°C(同左) | ±0.04°C(同左) |
| 徑向均勻性 | 0.1°C(孔間差) | 0.1°C(同左) | 0.1°C(同左) |
| 核心功能 | 內部參考控溫,基礎溫度場提供 | 外部參考傳感器輸入,IRI提醒,10組設置存儲 | 外部參考+被測輸入,自動步進校準,開關測試,數據存儲導出 |
| 升溫/冷卻時間 | 33→660°C:20分鍾;660→100°C:36分鍾 | 同A型號 | 同A型號 |
| 物理參數 | 重量8.9kg;尺寸362×171×363mm;井直徑25mm | 同A型號 | 同A型號 |
| 插入件配置 | 黃銅材質,直徑24.8mm,長度160mm | 同A型號 | 同A型號 |
| 合規適配 | 基礎適配,無數據追溯 | 支持ISO、SOPs,校準提醒 | 支持ISO17025、FDA,全流程數據追溯 |
| 適用場景 | 簡易高溫基準校準,預算有限用戶 | 精密高溫校準,基礎合規需求 | 複雜高溫校準,嚴格合規與自動化需求 |
AMETEK PTC-660係列的高溫校準原理基於“高溫標準場構建-參考信號精準采集-被測誤差對比”的核心邏輯,針對高溫環境的特殊性進行技術優化,具體實現流程如下:
(一)高溫標準溫度場構建原理
係列通過專利雙區加熱係統構建穩定均勻的高溫場。下部主區加熱塊采用高導熱合金材料,加熱元件按梯度功率布局,在高溫升溫階段以高功率快速建立基礎溫度場,接近設定溫度時自動切換為低功率精細調節,避免溫度超調;上部補償區針對高溫下爐口散熱快、傳感器插入後熱量流失顯著的特點,動態調整加熱功率,形成“主區穩溫+補償區補熱”的協同機製,確保校準區域(傳感器有效測量段,浸入深度150mm)的溫度與設定值偏差控製在±0.04°C以內。黃銅插入件的應用進一步強化了高溫場穩定性,其優異的高溫導熱一致性避免了局部溫度偏差,同時與加熱井的精密間隙設計為熱膨脹預留空間,防止高溫下部件變形。
(二)參考信號采集與處理原理
對於B/C型號,JOFRASTS-150-A參考傳感器作為高溫標準信號源,其Pt100傳感元件在高溫下的電阻變化與溫度呈精準線性關係,內置芯片存儲了全溫度區間的校準係數。AMETEK PTC-660係列的4線製真歐姆測量電路向傳感器輸出穩定恒流(高溫下恒流精度保持±0.01%),同時精準測量傳感器兩端電壓,根據歐姆定律計算電阻值,結合內置校準係數轉換為“TRUE”標準溫度。4線製測量方式徹底消除了高溫下引線電阻增大帶來的誤差,確保參考溫度測量的精準性,為高溫校準提供可靠基準。
(三)被測傳感器校準與誤差計算原理
PTC-660B型號支持多類型高溫傳感器的直接校準:對於高溫RTD傳感器,設備通過獨立測量電路采集其電阻信號,結合內置高溫分度表轉換為被測溫度(SUT);對於高溫熱電偶(如R、S型),通過寬量程熱電勢測量模塊采集信號,內置高溫冷端補償電路消除環境溫度對冷端的影響,轉換為被測溫度;對於高溫變送器,直接采集4-20mA電流信號並轉換為溫度參數。通過對比參考傳感器的“TRUE”溫度與被測傳感器的“SUT”溫度,計算得出被測傳感器的誤差值,完成高溫校準。
(四)高溫穩定控製與合規管理原理
MVI電網波動免疫技術通過“交流-直流-穩定交流”的轉換流程,隔離電網波動對加熱功率的影響,避免高溫下電壓波動導致的溫度漂移;PID調節算法針對高溫環境的熱滯後特性進行優化,動態調整調節參數,確保溫度快速穩定。合規管理方麵,IRI功能通過存儲設備與參考傳感器的校準有效期,開機自動校驗;PTC-660B的自動數據記錄功能為每一組高溫校準數據打上時間戳,導出後可生成標準化證書,滿足高溫校準場景的合規追溯要求。
(一)冶金行業:高溫設備傳感器校準
某冶金企業需校準煉鋼爐溫度傳感器(測量範圍0~600°C,精度要求±0.3°C),選用AMETEK PTC-660C幹體爐。設備搭配STS-150-A參考傳感器,在車間複雜供電環境下,MVI技術確保溫度穩定性±0.04°C,黃銅插入件適配傳感器直徑8mm,校準數據通過USB導出至JofraCal軟件,生成符合ISO標準的證書。PTC-660C的便攜性讓技術人員可攜帶至生產現場,快速完成傳感器校準,避免煉鋼爐停機等待,單批次校準效率提升30%。
(二)電子製造:半導體高溫老化測試校準
某半導體廠商在芯片高溫老化測試中,需校準測試設備的溫度傳感器(範圍100~660°C,精度要求±0.2°C),選用AMETEK PTC-660B幹體爐。通過自動步進校準功能預設150°C、300°C、450°C、600°C四個溫度點,設備自動完成升溫、穩定、測量、記錄流程,支持同時校準6個Pt100高溫傳感器(搭配多孔插入件)。校準數據存儲於設備內,導出後生成帶工作訂單編號的證書,滿足電子行業對測試設備的精密校準與合規要求,確保芯片老化測試數據可靠。
(三)科研實驗室:高溫材料實驗校準
某高校材料實驗室需校準高溫拉伸實驗機的溫度傳感器(範圍200~660°C,精度要求±0.15°C),選用AMETEK PTC-660B幹體爐。設備支持S型高溫熱電偶的直接測量,內置高溫信號濾波算法,有效抑製實驗室電磁幹擾,測量精度達±0.08°C(搭配STS-150-A)。AsFound/AsLeft模式記錄傳感器校準前後的性能數據,為實驗數據修正提供依據,幫助科研人員獲得更精準的材料高溫力學性能參數。
(一)日常維護重點
高溫部件保養:黃銅插入件需定期清潔表麵氧化層與油汙(建議每月一次),避免影響熱傳導;加熱塊井需用軟毛刷清理灰塵,禁止使用尖銳工具刮擦,防止損傷加熱麵。
參考傳感器維護:STS-150-A傳感器避免碰撞與高溫驟冷驟熱,每12個月送授權機構校準一次;存儲時單獨放置於攜帶箱專用隔間,套上保護套防止傳感元件損壞。
散熱係統維護:定期清理外殼出風口與內部散熱通道的灰塵(建議每季度一次),確保高溫下散熱順暢,避免設備過熱保護。
環境要求:設備需存儲於-20~50°C、幹燥通風的環境,工作環境溫度0~40°C、濕度0~90%RH(無凝結),避免在腐蝕性氣體環境中使用。
(二)故障處理與固件升級
常見故障:若高溫下溫度不穩定,需檢查插入件安裝是否到位、加熱塊是否有灰塵堆積;若參考傳感器無響應,檢查接口是否清潔、傳感器是否超期未校準。
固件升級:每半年從AMETEK官方網站下載最新固件,通過USB接口導入設備,優化高溫控溫算法與穩定性,確保設備適配最新傳感器類型。
配件更換:插入件磨損嚴重(孔徑變大)或加熱元件故障時,需更換原廠配件,避免非原廠配件影響高溫性能。
AMETEK PTC-660係列幹體爐憑借專利雙區加熱技術、高溫適配結構設計與精準測量係統,攻克了傳統幹體爐高溫下精度漂移、穩定性差的技術難題,成為33~660°C區間溫度校準的可靠選擇。係列三款型號的梯度設計,覆蓋了從簡易基準到複雜合規的全場景需求,黃銅插入件、MVI電網波動免疫、智能參考傳感等核心技術,確保在高溫環境下仍能維持優異的精度與穩定性。無論是冶金行業的現場校準、電子製造的精密測試,還是科研實驗室的高溫實驗,AMETEK PTC-660係列都能提供精準、穩定、合規的校準解決方案。隨著高溫應用場景對校準要求的不斷提高,該係列將憑借成熟的技術沉澱與場景化適配能力,持續為各行業的高溫質量管控與數據可靠性提供有力支撐,彰顯AMETEK在高溫校準領域的技術實力與行業價值。
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